关键字：

查询类型：型号  厂家  标记/丝印/代码  封装 

热门查询： MMz TC7USB221WBG MN11 ZSH5M TK11233CM TK11233CMI TK11233CMIL EXCML16A270U S-1132B33-M5 DSC20 BZD27C13P-GS NFR21GD1004702L P1005 LEM3225 uPA803 R1180Q151B RN5RZ33A S-818A50AUC DTZTT1 3N1
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　

产品目录
 二极管Diodes (14264)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10359)
 场效应管FET (3757)
 电阻Resistor (4413)
 电源管理ICPower Management IC/PMIC (7298)
 集成电路ICIntegrated Circuit（IC） (3418)
 电感Inductor/Coil/Choke (5942)
 电容Capacitor (1615)
 磁珠Ferrite Bead (1041)
 晶振滤波Crystal Oscillator and Filter (1402)
 未分类 (1992)
 保险管FUSE (978)
 晶优晶振 (171)
 测试点Test Point (86)
 标记 (454)
 连接器 (39)
 可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR (226)
 衰减器Attenuator (19)
 电阻 (5)
 晶振 (6)
 晶振滤波 (8)
 光电器件Optoelectronic (51)
 集成收发器 (1)
 编码器Switch (61)
 极管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 测试点 (3)
 片式天线 (14)
 集成电 (1)
 场效应管 (1)
 NATIONAL (1)
 模块 (1)
 电源管理IC (1)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 三极管 (1)
   
UPA1716
 型号：  UPA1716
 标记/丝印/代码/打字：  A1716
 厂家：  NEC
 封装：  SO8
 批号：  05+
 库存数量：  101
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
 技术文档PDF：  在线阅读
　 　
 在线购买
(Search Stock)		 Send order to our E_mail:
saler28@mark-ic.com

UPA1716 A1716 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -8A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 16m?@ VGS = -10V, ID = -4A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1~-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications DESCRIPTION This product is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converters and power management applications of notebook computers. FEATURES · Low on-resistance RDS(on)1 = 12.5 mW TYP. (VGS = –10 V, ID = –4 A) RDS(on)2 = 17.0 mW TYP. (VGS = –4.5 V, ID = –4 A) RDS(on)3 = 19.0 mW TYP. (VGS = –4.0 V, ID = –4 A) · Low Ciss : Ciss = 2100 pF TYP. · Built-in G-S protection diode · Small and surface mount package (Power SOP8)
描述与应用 此产品是P沟道MOS场效应晶体管的设计的DC/ DC转换器和电源管理 笔记本电脑的应用。 特点 ·低导通电阻 ?RDS（on）1 =12.5 mW的典型。 （VGS=-10V，ID=-4） ?RDS（on）2 =17.0 mW的典型。 （VGS= -4.5 V，ID=-4） ?RDS（on）3=19.0 mW的典型。 （VGS= -4.0 V，ID=-4 A） ·低CISS：CISS=2100 PF TYP。 ·内置G-S的保护二极管 ·小和表面贴装封装（电源SOP8）
技术文档PDF下载 在线阅读

　

 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
UPA1716 A1716 NEC 05+ SO8 101 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1731G A1731 NEC 05+ SO8 115 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1900TE TG NEC 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
UPA1900TE TG NEC 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 28200 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
UPA1901TE TQ NEC 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
UPA1901TE TQ NEC 09+ROHS3K SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 14995 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
UPA1911TE TC NEC 05+ SOT-163/SOT23-6 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1911TE TC NEC 05+ SOT-163/SOT23-6 7300 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1912TE TD NEC 05+ SOT-163/SOT23-6 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1912TE-T1 TD NEC 05+ SOT-163/SOT23-6 27200 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1913TE TE NEC 05+ SOT-163/SOT23-6 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1913TE-T1 TE NEC 05+ SOT-163/SOT23-6 4500 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1914TE TF NEC 07NOPB3800 SOT-163/SOT23-6 5000 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1914TE TF NEC 05+环保 SOT-163/SOT23-6 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1915TE TH NEC 05+ SOT-163/SOT23-6 3800 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1915TE TH NEC 05+ SOT-163/SOT23-6 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1916TE TL NEC 05+NOPB2K SOT-163/SOT23-6 12700 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1916TE TL NEC 05+ SOT-163/SOT23-6 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1917TE TR NEC 07+ROHS SOT-163/SOT23-6 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
UPA1918TE TS NEC 03+ SOT-163/SOT23-6 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看

　
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　
深圳市新亚洲电子市场茂业电子商行
公司地址: 深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C035房 电话: 0755-88869068（4线）
企业QQ: 800036813 点击这里给我发消息 传真: 0755-61306100
电子邮箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粤ICP备12037407号


营业执照