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UPA1900TE
 型号：  UPA1900TE
 标记/丝印/代码/打字：  TG
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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UPA1900TE TG 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 5.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.035Ω/Ohm @3A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μPA1900 is a switching device which can be driven directly by a 2.5 V power source. The μPA1900 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES ? Can be driven by a 2.5 V power source ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 35 m? MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 38 m? MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 3.0 A) RDS(on)3 = 45 m? MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 3.0 A)
描述与应用 MOS场效应晶体管 说明 μPA1900是可驱动的开关装置直接由2.5 V电源。 μPA1900具有低通态电阻和优良的开关特性，是适合于的应用，如便携机的电源开关等 ?可通过2.5 V电源驱动 ?低通态电阻 RDS（上）1=35mΩ最大。 （VGS=4.5 V，ID= 3.0 A） 的RDS（on）=38mΩ最大。 （VGS=4.0 V，ID= 3.0 A） 的RDS（on）=45mΩ最大。 （VGS=2.5 V，ID= 3.0 A）
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