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UPA1918TE
 型号：  UPA1918TE
 标记/丝印/代码/打字：  TS
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  03+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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UPA1918TE TS 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -3.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 143m?@ VGS = -10V, ID = -2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.5~-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications DESCRIPTION The μPA1918 is a switching device, which can be driven directly by a 4.0 V power source. This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES ? 4.0 V drive available ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 143 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –2.0 A) RDS(on)2 = 179 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.0 A) RDS(on)3 = 190 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –2.0 A)
描述与应用 说明 该μPA1918是一个开关装置，它可以驱动 直接由4.0 V电源。 该器件具有低通态电阻和优良的 的开关特性，是适合应用 例如，作为便携机的电源开关等。 特点 ?4.0 V可驱动 ?低通态电阻 RDS（on）1 =143mΩ最大。 （VGS=-10V，ID=-2.0A） RDS（on）2 =179mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-2.0A） RDS（on）3 =190mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-2.0A）
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