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UPA1915TE
 型号：  UPA1915TE
 标记/丝印/代码/打字：  TH
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  3800
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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UPA1915TE TH 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -4.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.045Ω @-2.5A,-4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications FEATURES ? Can be driven by a 4 V power source ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 57 m? MAX. (VGS = –10 V, ID = –2.5 A) RDS(on)2 = 86 m? MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.5 A) RDS(on)3 = 96 m? MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –2.5A)
描述与应用 ?可驱动4 V的电源 ?低通态电阻 的RDS（on）1 =57mΩ最大。 （VGS=-10V，ID=-2.5 A） 的RDS（on）2 =86mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-2.5 A） 的RDS（on）=96mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-2.5A）
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