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UPA1912TE-T1
 型号:  UPA1912TE-T1
 标记/丝印/代码/打字:  TD
 厂家:  NEC
 封装:  SOT-163/SOT23-6
 批号:  05+
 库存数量:  27200
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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UPA1912TE-T1 TD 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current -4.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.039Ω @-2.5A,-4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications FEATURES ? Can be driven by a 2.5-V power source ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 115 m? MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –1.5 A) RDS(on)2 = 120 m? MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –1.5 A) RDS(on)3 = 190 m? MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –1.0A)
描述与应用 ?可以由一个2.5 V的电源 ?低通态电阻 的RDS(on)1 =115mΩ最大。 (VGS= -4.5 V,ID=-1.5) 的RDS(on)2 =120mΩ最大。 (VGS= -4.0 V,ID=-1.5 A) 的RDS(on)3 =190mΩ最大。 (VGS= -2.5 V,ID=-1.0A)
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