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UPA1917TE
 型号：  UPA1917TE
 标记/丝印/代码/打字：  TR
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  07+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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UPA1917TE TR 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -600mA/-0.6A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.042Ω @-3A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45--1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications FEATURES ?1.8 V drive available ?Low on-state resistance RDS(on)1 = 53 m? MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –3.0 A) RDS(on)2 = 70 m? MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –3.0 A) RDS(on)3 = 107 m? MAX. (VGS = –1.8 V, ID = –1.5 A)
描述与应用 .8 V可驱动 ?低通态电阻 的RDS（on）1 =53mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-3.0 A） 的RDS（on）=70mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-3.0 A） 的RDS（on）=107mΩ最大。 （VGS=-1.8 V，ID=-1.5“）
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