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MRF1517T1
 型号：  MRF1517T1
 标记/丝印/代码/打字：  M1517
 厂家：  ON
 封装：  PLD-1.5
 批号：  04+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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MRF1517T1 M1517 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20vV
最大漏极电流Id Drain Current 4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 6.25W
Description & Applications ? Specified Performance @ 520 MHz, 7.5 Volts Output Power — 8 Watts Power Gain — 11 dB Efficiency — 55% ? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters ? Excellent Thermal Stability ? Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 9.5 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive ? Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier Information Available Upon Request ? RF Power Plastic Surface Mount Package ? Available in Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 Inch Reel.
描述与应用 功率MOSFET 300毫安，60伏 N沟道SOT-223 这是专为高速，低损耗电源功率MOSFET 开关应用，如开关稳压器，DC-DC转换器， 电磁阀和继电器驱动器。该器件采用SOT-223 包是专为中等功率表面贴装应用。 ?指定的性能@520 MHz时，7.5伏特 输出功率 - 8瓦 功率增益 - 11分贝 效率 - 55％ ?等效串联大信号特点 阻抗参数 ?优良的热稳定性 ?能够处理20:1 VSWR，@9.5 VDC， 520兆赫，2 dB高速 ?宽带UHF/ VHF示范放大器 要求提供信息 ?RF功率塑料表面贴装封装 ?可在磁带和卷轴。 T1后缀= 1,000单位每12 mm，7英寸卷筒。
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