茂业电子---MRF5711LT1的库存详细介绍

型号：	MRF5711LT1
标记/丝印/代码/打字：	02
厂家：	MOTOROLA
封装：	SOT-143
批号：	05+
库存数量：	4200
所属分类：	三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) NPN
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MRF5711LT1 02 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications	? The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistors ? High Gain-Bandwidth Product:fT = 8.0 GHz (Typ) @50 mA ? Low Noise Figure NF = 2.0 dB (Typ) @ f = 500 MHz (MMBR571 LT1 , T3) NF(matched) = 1.6 dB (TYP) @ f = 1.0 GHz (MRF5711LT1, MRF571) ? High Gain GNF = 17 dB (Typ) @ 30 mW500 MHz (MMBR571 LT1, T3) ? High Power Gain GPe (matched)= 13.5 dB Typ) (MRF5711 LT1) ?State Of–the–ART Technology Fine Line Geometry Ion–implanted Arsenic Emitters Gold Top Metallization and Wires Silicon Nitride Passivation ? Available in tape and reel packaging options: T1 suffix= 3,000 units per reel T3 suffix= 10,000 units per reel
描述与应用	?RF线NPN硅高频晶体管 ?高增益带宽产品：FT =8.0千兆赫（典型值）@ 50毫安 ?低噪声图 NF= 2.0分贝（典型值）@ F =500 MHz的（MMBR571 LT1，T3） NF（匹配）= 1.6分贝（TYP）@ F =1.0千兆赫（MRF5711LT1 MRF571） ?高增益 GNF= 17分贝（典型值）@30 MW500兆赫（MMBR571 LT1，T3） ?高功率增益 GPE（匹配）=13.5 dB典型值）（MRF5711 LT1） ??国家最先进的技术精细线几何离子注入砷发射黄金顶部金属化和电线氮化硅钝化 ?可在磁带和卷轴包装选择： T1后缀=3000单位每卷 T3后缀=10,000单位每卷
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