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MRF9811T1
 型号:  MRF9811T1
 标记/丝印/代码/打字:  23K
 厂家:  MOTOROLA
 封装:  SOT-143
 批号:  05+
 库存数量:  3000
 所属分类:  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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MRF9811T1 23K 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 15V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -5V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 350mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 770mW/0.77W
Description & Applications The RF Small Signal Line N–Channel Depletion–Mode MESFET Description Designed for use in driver stages of moderate power RF amplifiers to 2 GHz. Typical applications are cellular radios and personal communication .transmitters such as AMPS, ETACS, NMT, GSM, PCN, JDC and DECT Feature Performance Specifications at 900 MHz, 5.8 V Output Power = 21 dBm Power Gain = 14 dB Drain Efficiency = 55% Plastic Surface Mount Package Order MRF9811T1 for Tape and Reel Packaging
描述与应用 RF小信号线 N沟道耗尽型MESFET 描述 专为中等功率RF放大器至2 GHz的驱动级使用。典型的应用是蜂窝无线电发射器如AMPS,ETACS,NMT,GSM,PCN,JDC和DECT和个人通信。 特点 性能规格在900 MHz,5.8 V时 输出功率= 21 dBm 功率增益= 14dB 漏极效率=55% 塑料表面贴装封装
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