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TPCP8006
 型号：  TPCP8006
 标记/丝印/代码/打字：  8006
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  PS-8
 批号：  11+ROHS
 库存数量：  54000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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TPCP8006 8006 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±12 V
最大漏极电流Id Drain Current 9.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.5 ~ 1.2 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 6.5mΩ~10mΩ VGS = 4.5 V, ID = 4.5 A
耗散功率Pd Power Dissipation 1.68W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS IV). * Notebook PC Applications * Portable Equipment Applications * Small footprint due to small and thin package * Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 6.5 mΩ (typ.) * High forward transfer admittance:|Yfs| = 36 S (typ.) * Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 20 V) * Enhancement mode: Vth = 0.5 to 1.2 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型（U-MOS IV）。 *笔记本电脑应用 *便携式设备的应用 *由于占地面积小，小而薄的包装 *低漏源导通电阻RDS（ON）=6.5mΩ（典型值） *较强的正向转移导纳：| YFS|= 36 S（典型值） *低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=20 V） *增强模式：VTH =0.5至1.2 V（VDS=10V，ID= 1 mA时）
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