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TPCP8301
 型号：  TPCP8301
 标记/丝印/代码/打字：  8301
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  PS-8
 批号：  11+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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TPCP8301 8301 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 31m?@ VGS = -4.5V, ID = -2500mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.5~-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 580mW/0.58W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ) Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Small footprint due to small and thin package ? Low drain-source ON-resistance: RDS(ON) = 25 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance: |Yfs| = 14 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = ?10 μA (max) (VDS = ?20 V) ? Enhancement model: Vth = ?0.5 to ?1.2V (VDS = ?10 V, ID = ?200 μA)
描述与应用 东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOSⅣ） 锂离子电池应用 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ?由于占地面积小，小而薄的包装 ?低漏源导通电阻RDS（ON）= 25mΩ（典型值） ?高正向转移导纳：| YFS|=14 S（典型值） ?低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-20 V） ?增强模式：VTH =-0.5至-1.2V（VDS= -10 V，ID=-200μA）
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