TPCP8402 8402 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V/-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V/-20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
4.2A/-3.4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
50m?@ VGS = 10V, ID = 2100mA/ 72m?@ VGS = -10V, ID = -1700mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.3~2.5V/-0.8~-2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
580mW/0.58W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS IV / U-MOS III) Portable Equipment Applications Mortor Drive Applications DC-DC Converter Applications ? Low drain-source ON resistance : P Channel RDS (ON) = 60 mΩ (typ.) N Channel RDS (ON) = 38 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance : P Channel |Yfs| = 6.0 S (typ.) N Channel |Yfs| = 7.0 S (typ.) ? Low leakage current : P Channel IDSS = ?10 μA (VDS = ?30 V) N Channel IDSS = 10 μA (VDS = 30 V) ? Enhancement?mode : P Channel Vth = ?0.8 to ?2.0 V (VDS = ?10 V, ID = ?1mA) N Channel Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1mA) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅P，N沟道MOS型（U-MOS IV/ U-MOS III） 便携式设备的应用 应用MORTOR驱动 DC-DC转换器应用 ?低漏源导通电阻 ：P沟道的RDS（ON）= 60mΩ（典型值） N沟道的RDS（ON）=38mΩ（典型值） ?高正向转移导纳 ：P通道| YFS|=6.0 S（典型值） N沟道YFS|=7.0 S（典型值） ?低漏电流 ：P沟道IDSS=-10μA（VDS=-30 V） N沟道IDSS=10μA（VDS=30 V） ?增强模式 ：P沟道Vth= -0.8到-2.0 V（VDS= -10 V，ID=-1MA） N沟道Vth =1.3?2.5 V（VDS=10V，ID=1毫安） |
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