TPCP8202 8202 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
5.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
19m?@ VGS = 4.5V, ID = 2.8A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.7~1.4V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.48W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSIV) -Portable Equipment Applications -Motor Drive Applications -DC/DC Converters ? Lead (Pb)-free ? Low drain-source ON-resistance: RDS(ON) = 19 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance: |Yfs| = 20 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = 10 μA (max)(VDS = 30 V) ? Enhancement model: Vth = 0.7 to 1.4V (VDS = 10 V, ID = 200 μA) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOSIV） -便携式设备的应用 -电机驱动应用 -DC/DC转换器 ?低漏源导通电阻RDS（ON）= 19mΩ（典型值） ?高正向转移导纳：| YFS|=20 S（典型值） ?低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=30 V） ?增强型号：VTH=0.7?1.4V （VDS=10V，ID=200μA） |
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