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PBSS8110X
 型号：  PBSS8110X
 标记/丝印/代码/打字：  P4B
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-89/SC-62/TO-243
 批号：  10+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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PBSS8110X P4B 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 100V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 500
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 40mV~200mV
耗散功率Pc Power Dissipation 2W
Description & Applications 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor General description： NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package. PNP complement: PBSS9110X. Features： SOT89 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM High efficiency leading to less heat generation Applications： Major application segments: Automotive 42 V power Telecom infrastructure Industrial： Peripheral driver: Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs) Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors) DC-to-DC converter
描述与应用 100 V，1 A NPN低VCEsat（BISS）晶体管 一般描述： NPN低VCEsat ?突破小信号（BISS）晶体管为SOT89（SC-62/ TO-243）SMD塑料包装。 PNP补充：PBSS9110X。 特点： ?SOT89封装 低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 ?高集电极电流能力：IC和ICM ?导致更少的热量发电的高效率 应用范围： ?主要应用领域： ?汽车42 V电源 ?电信基础设施 ?工业： ?外设驱动程序： ?驱动器在低电源电压应用（如灯和LED） ?感性负载（如继电器，蜂鸣器和电机驱动） ?DC-to-DC转换
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