PBSS4140T ZT 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
900 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV~500mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
450mW/0.45W |
| Description & Applications |
40 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage ? High current capabilities. ? Improved device reliability due to reduced heat generation. APPLICATIONS ? General purpose switching and muting ? LCD backlighting ? Supply line switching circuits ? Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package. |
| 描述与应用 |
40 V，1 A NPN低VCEsat（BISS）晶体管 特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?高电流的能力。 ?提高设备的可靠性，由于减少热 的一代。 应用 ?通用开关和静音 ?LCD背光 ?供电线路开关电路 ?电池驱动设备（移动电话，视频 相机和手持设备）。 说明 NPN低VCEsat ?晶体管在SOT23塑料包装。 |
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