PBSS3515F 2B 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-250mA/-0.25A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
280MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-250mV/-0.25V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
15 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage ? High current capabilities ? Improved thermal behaviour due to flat leads. ? NPN complement: PBSS2515F. APPLICATIONS ? General purpose switching and muting ? Low frequency driver circuits ? LCD backlighting ? Audio frequency general purpose amplifier applications ? Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices). |
| 描述与应用 |
15伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?高电流能力 ?改进的热行为由于平坦的线索。 ?NPN补充：PBSS2515F。 应用 ?通用开关和静音 ?低频驱动电路 ?LCD背光 ?音频通用放大器应用 ?电池驱动设备（手机，摄像机和手持设备） |
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