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PBSS4240T
 型号：  PBSS4240T
 标记/丝印/代码/打字：  ZE
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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PBSS4240T ZE 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 40V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 2A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 230MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 470
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 70mV~320mV
耗散功率Pc Power Dissipation 480mW/0.48W
Description & Applications 40 V, 2A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage ? High current capability ? Improved device reliability due to reduced heat generation ? Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged transistors. APPLICATIONS ? Supply line switching circuits ? Battery management applications ? DC/DC converter applications ? Strobe flash units ? Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package
描述与应用 40 V，2A NPN低VCEsat（BISS）晶体管 特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?高电流能力 ?提高设备的可靠性，由于减少热 代 ?更换SOT89/SOT223标准包装 晶体管。 应用 ?供电线路开关电路 ?电池管理应用 ?DC / DC转换器应用 ?闪光灯单元 ?重型电池供电设备（电机和灯泡 驱动程序）。 说明 NPN低VCEsat ?在SOT23塑料封装晶体管
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