PBSS4350D 43 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
90mV~290mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
750mW/0.75W |
| Description & Applications |
NPN transistor FEATURES ? High current capabilities ? Low VCEsat . APPLICATIONS ? Heavy duty battery powered equipment (Automotive, Telecom and Audio/Video) such as motor and lamp drivers ? VCEsat critical applications such as the latest low supply voltage IC applications ? All battery driven equipment to save battery power. DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SC-74 plastic package. |
| 描述与应用 |
NPN晶体管 特点 ?高电流能力 ?低VCESAT 。 应用 ?重型电池供电设备（汽车， 电信与音频/视频）电机和照明等 司机 VCE监测的关键应用，如最新的低电源 电压IC应用 ?所有电池驱动的设备，以节省电池电力。 说明 NPN低VCEsat ?在SC-74塑料封装晶体管。 |
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