PBSS4350X S43 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
700 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
80mV~370mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.6W |
| Description & Applications |
50 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES ? SOT89 (SC-62) package ? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ? High collector current capability: IC and ICM ? Higher efficiency leading to less heat generation ? Reduced printed-circuit board requirements. APPLICATIONS ? Power management – DC/DC converters – Supply line switching – Battery charger – LCD backlighting. ? Peripheral drivers – Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs). – Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package. |
| 描述与应用 |
50 V，3 A NPN低VCEsat（BISS）晶体管 特点 ?SOT89（SC-62）封装 ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 ?高集电极电流能力：IC和ICM ?更高的效率，导致产生的热量少 ?减少印刷电路板的要求。 应用 ?电源管理 - DC/ DC转换器 - 电源线开关 - 电池充电器 - LCD背光。 ?外设驱动程序 - 驱动器，在低电源电压应用（如灯 和LED）。 - 感性负载驱动器（如继电器， 蜂鸣器和电机）。 说明 NPN低VCEsat ?晶体管塑料封装为SOT89。 |
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