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MMBF2202PT1G
 型号：  MMBF2202PT1G
 标记/丝印/代码/打字：  P3
 厂家：  ON
 封装：  SOT-323/SC70
 批号：  06+rohs
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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MMBF2202PT1G P3 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -0.3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 1.5Ω @200mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Features ? Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life ? Miniature SC?70/SOT?323 Surface Mount Package Saves Board Space ? Pb?Free Package is Available
描述与应用 ?低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 ?微型SC-70/SOT-323表面贴装封装的节省电路板空间 ?无铅包装是可用
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