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MMBF5460LT1
 型号:  MMBF5460LT1
 标记/丝印/代码/打字:  M6E
 厂家:  ON
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  520
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel
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MMBF5460LT1 M6E 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 40v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -40v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 1~5ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.75~-6v
耗散功率Pd Power Dissipation 225mW/0.225W
Description & Applications P-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources.
描述与应用 P-通道通用放大器 此设备的设计主要是低层次的音频和一般 高阻抗信号源的用途。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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