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MMBF0201NLT1
 型号：  MMBF0201NLT1
 标记/丝印/代码/打字：  N1
 厂家：  ON
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  1015
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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MMBF0201NLT1 N1 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.75Ω/Ohm @300mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 225mW/0.225W
Description & Applications DPAK For Surface Mount Applications ? Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life ? Miniature SOT?23 Surface Mount Package Saves Board Space ? Pb?Free Package is Available
描述与应用 DPAK表面贴装应用 ?低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 ?微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 ?无铅包装是可用
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