2SK3373 K3373 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
500V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
2.9Ω~3.2Ω(VGS =10V,ID= 1A) |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=10V,ID =1mA) |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOSV) .
Switching Regulator and DC-DC Converter Applications.
Motor Drive Applications .
* Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 2.9 Ω (typ.)
* High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.7 S (typ.)
* Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
* Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（π-MOSV）。
开关稳压器和DC-DC转换器应用。
电机驱动应用。
*低漏源导通电阻RDS（ON）=2.9Ω（典型值）
*较强的正向转移导纳：YFS| =1.7 S（典型值）
*低漏电流IDSS=100μA（最大值）（VDS=500 V）
*增强型号：VTH =2.0至4.0 V（VDS=10V，ID= 1毫安） |
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