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2SK3376TK-C 3C 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-20v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
0.27~0.48ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-0.2~-1.2v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
?Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type Application for Ultra-compact ECM |
| 描述与应用 |
?场效应晶体管的硅N沟道结型 超紧凑ECM应用 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK3376TK-C |
3C |
TOSHIBA |
04+ |
SOT-623/TESM3 |
3000 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3376TK-BK |
3B |
TOSHIBA |
06NOPB |
SOT-623/TESM3 |
175000 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
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