SSM6K211FE NQ 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
47m?@ VGS = 4.5V, ID = 2A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.35~1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅢ) ○ High-Speed Switching Applications ○ Power Management Switch Applications ? 1.5-V drive ? Low ON-resistance: Ron = 118 mΩ (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 82 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 59 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 47 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOSⅢ） ○高速开关应用 ○电源管理开关应用 ?1.5-V驱动器 ?低导通电阻：RON= 118MΩ（最大）（@ VGS= 1.5 V） RON= 82MΩ（最大）（@ VGS=1.8 V） RON=59MΩ（最大）（@ VGS= 2.5 V） RON=47毫欧（最大值）（@ VGS= 4.5 V） |
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