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SSM6K25FE
 型号:  SSM6K25FE
 标记/丝印/代码/打字:  NH
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-563/ES6
 批号:  04NOPB
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SSM6K25FE NH 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 145m?@ VGS = 4.0V, ID = 250mA
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) High Speed Switching Applications ? Optimum for high-density mounting in small packages ? Low on-resistance: Ron = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 190mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS类型(U-MOSIII) 高速开关应用 ?最适用于高密度安装在小包装 ?低导通电阻RON =395mΩ(最大)(@ VGS=1.8 V) RON=190mΩ(最大)(@ VGS= 2.5 V) RON =145mΩ(最大)(@ VGS=4.0 V)
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