SSM6K202FE KL 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
85m?@ VGS = 4.0V, ID = 1.5A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4~1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications ○ Power Management Switch Applications ? 1.8 V drive ? Low ON-resistance: Ron = 145 mΩ (max) (@VGS = 1.8V) Ron = 101 mΩ (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 85 mΩ (max) (@VGS = 4.0V |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ○高速开关应用 ○电源管理开关应用 ?1.8 V驱动器 ?低导通电阻：RON=145MΩ（最大）（@ VGS=1.8V） RON=101MΩ（最大）（@ VGS= 2.5V） RON=85毫欧（最大值）（@ VGS=4.0V |
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