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BFR740L3RH
 型号：  BFR740L3RH
 标记/丝印/代码/打字：  R9
 厂家：  Infineon
 封装：  TSLP-3-9
 批号：  10+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFR740L3RH R9 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 13V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 4V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 30mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 42Ghz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 160~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 160mW/0.16W
Description & Applications NPN Silicon Germanium RF Transistor ? High gain ultra low noise RF transistor ? Extremly small and flat leadless package,height 0.32 mm, ideal for modules ? Provides outstanding performance for wireless applications up to 10 GHz ? Ideal for WLAN applications,including routers and access points ? Based on Infineon's reliable high volume SiGe: ? Outstanding noise figure NFmin Outstanding noise figure NFmin ? Accurate SPICE GP model enables effective design in process ? High maximum stable and available gain ? Pb-free (RoHS compliant) package
描述与应用 NPN硅锗射频晶体管 ?高增益超低噪声RF晶体管 的极端小而扁平无引线封装，高度为0.32毫米，非常适合模块 ?为无线应用提供出色的性能高达10 GHz的 ?非常适合WLAN应用，包括路由器和接入点 基于英飞凌的可靠的高容量锗： ?卓越的噪音系数NFmin ??卓越的噪音系数NFmin ?精确的SPICE GP模型能够有效的设计过程中 ?最高稳定和可用增益 ?无铅封装（符合RoHS）
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