BFR505T NO 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
18mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
9Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
NPN 9 GHz wideband transistor BFR505T FEATURES ? Low current consumption ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability ? SOT416 (SC-75) package. APPLICATIONS Low power amplifiers, oscillators and mixers particularly in RF portable communication equipment (cellular phones, cordless phones and pagers) up to 2 GHz. |
| 描述与应用 |
NPN9 GHz的宽带晶体管BFR505T的 特点 ?低电流消耗 ?高功率增益 ?低噪声系数 ?高转换频率 ?黄金金属确保卓越的可靠性 ?SOT416（SC-75）封装。 应用 低功耗放大器，振荡器和 特别是在便携式射频混频器 通信设备（手机，无绳电话和寻呼机）高达2 GHz。 |
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