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BFR750L3RH
 型号：  BFR750L3RH
 标记/丝印/代码/打字：  R8
 厂家：  INFINEON
 封装：  TSLP-3-9
 批号：  09+ROHS
 库存数量：  105000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFR750L3RH R8 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 13V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 4V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 90mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 37GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 160~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 360mW/0.36W
Description & Applications NPN Silicon Germanium RF Transistor ? High gain ultra low noise RF transistor ? Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications up to 10 GHz ? Ideal for WLAN and all 5-6 GHz applications ? High OIP3 and P-1dB for driver stages ? High maximum stable and available gain ? 150 GHz fT-Silicon Germanium technology ? Extremly small and flat leadless package,reduced height 0.32 mm max. ? Pb-free (RoHS compliant) ? Qualified according AEC Q101
描述与应用 NPN硅锗射频晶体管 ?高增益超低噪声RF晶体管 ?高达10 GHz的范围广泛的无线应用提供出色的性能 ?适用于WLAN和所有5-6 GHz应用 ?高OIP3和P-1分贝的的驱动程序阶段 ?最高稳定和可用增益 ?150 GHz的FT-硅锗技术 的极端小而扁平无引线封装，高度降低0.32毫米最大。 ?无铅（符合RoHS） ?符合AEC Q101
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