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2N7002A-RTK/P
 型号：  2N7002A-RTK/P
 标记/丝印/代码/打字：  WB
 厂家：  KEC
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  08NOPB
 库存数量：  2980
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2N7002A-RTK/P WB 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.8Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR INTERFACE AND SWITCHING APPLICATION. Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR High density cell design for low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. High saturation current capability
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管 接口和开关应用。 特性 N沟道增强型场效应晶体管 高密度单元设计用于低的源漏极导通电阻） 电压控制小信号开关。 坚固，可靠。 高饱和电流能力
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