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2N7002LT1 702 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
115mA/0.115A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
7.5Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N?Channel SOT?23 Features 60 V, 115 mA, N?Channel SOT?23 Pb?Free Packages are Available |
| 描述与应用 |
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N?Channel SOT?23 特性 60 V，115 mA，N沟道SOT-23 无铅封装 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2N7002LT1 |
702 |
ON |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
66000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2N7002LT1 |
702 |
ON |
03+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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