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2N7002DW XS 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
300mA/0.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
2?@ VGS=4.5 V, ID=0.25 A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1~2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Small-Signal-Transistor Features ? Dual N-channel ? Enhancement mode ? Logic level ? Avalanche rated ? Fast switching ? Qualified according to AEC Q101 ? 100% lead-free; RoHS compliant |
| 描述与应用 |
小信号晶体管 特点 ?双N沟道 ?增强模式 ?逻辑电平 ?额定雪崩 ?快速开关 ?符合AEC Q101 ?100％无铅，符合RoHS标准 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2N7002DW |
XS |
INFINEON |
09NOPB |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| 2N7002DW-7-F |
K72 |
DIODES |
06+ROHS |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| 2N7002DW |
XS |
INFINEON |
05+ |
SOT-363/SC70-6 |
400 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
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| 2N7002DW-7 |
K72 |
DIODES |
06+NOPB3200 |
SOT-363/SC70-6 |
11100 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| 2N7002DW |
702 |
YeaShin |
10NOPB |
SOT-363/SC70-6 |
3000 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| 2N7002DW |
702 |
PANJIT |
08+ROHS |
SOT-363/SC70-6 |
4200 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| 2N7002DW |
2N |
FAIRCHILD |
11+ROHS |
SOT-363/SC70-6 |
2400 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
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