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2N7002K-T1-E3
 型号:  2N7002K-T1-E3
 标记/丝印/代码/打字:  7K
 厂家:  VISHAY
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  10+ROHS
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2N7002K-T1-E3 7K 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Features N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Low On-Resistance: 2 Ω Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output Leakage TrenchFET? Power MOSFET 2000 V ESD Protection
描述与应用 N沟道60-V(D-S)的MOSFET 特性 N沟道60-V(D-S)的MOSFET 低导通电阻:2Ω 低阈值:2 V(典型值 低输入电容:25 pF 开关速度快:25纳秒 低输入和输出泄漏 的TrenchFET?功率MOSFET 2000 V ESD保护
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