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2SK2802ZV
 型号：  2SK2802ZV
 标记/丝印/代码/打字：  ZV
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  600
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2802ZV ZV 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.2Ω/Ohm @100mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0. 2? typ (VGS= 4 V, ID = 100 mA) 2.5V gate drive devices. Small package (MPAK)
描述与应用 硅N沟道MOS FET 低频电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 低频电源开关 低导通电阻 RDS（ON）= 0。 2Ω典型值（VGS=4 V，ID= 100毫安） 2.5V栅极驱动设备。 小型封装（MPAK）
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