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2SK2858
 型号:  2SK2858
 标记/丝印/代码/打字:  G24
 厂家:  NEC
 封装:  SOT-323/SC-70
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2858 G24 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING DESCRIPTION The 2SK2857 is a switching device which can be driven directly by a 5V power source. he 2SK2857 features a low on-state resistance and excellent Switching Characteristics, and is suitable for applications such as actuator driver. Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING Can be driven by a 2.5-V power source Low gate cut-off voltage
描述与应用 MOS场效应晶体管 N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 说明 2SK2857是一个开关装置,可以直接驱动 由5V电源。 他2SK2857功能低通态电阻和优良的 开关特性,是适合于应用程序,如致动器的驱动程序。 特性 N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 可以由一个2.5 V的电源 低栅极截止电压
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
2sk2857 NX NEC 05+ SOT-89/SC-62 10000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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2SK2855 UT TOSHIBA 11+ROHS SOT-89 0 场效应管FET-其它Other 查看

 

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