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型号: |
2SK2857 |
标记/丝印/代码/打字: |
NX |
厂家: |
NEC |
封装: |
SOT-89/SC-62 |
批号: |
09+NOPB |
库存数量: |
80 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
技术文档PDF: |
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2SK2857 NX 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
4A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.11Ω/Ohm @2.5A,10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING DESCRIPTION The 2SK2857 is a switching device which can be driven directly by a 5V power source. The 2SK2857 features a low on-state resistance and excellent Switching Characteristics, and is suitable for applications such as actuator driver. Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING Can be driven by a 5V power source. Low On-state resistance : RDS(on)1 = 220 m? MAX. (VGS = 4 V, ID = 1.5 A) RDS(on)2 = 150 m? MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.5 A) |
描述与应用 |
MOS场效应晶体管 N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 说明 2SK2857是一个可以由5V电源直接驱动的开关设备。 2SK2857采用了低通态电阻和优良 开关特性,是适合于应用程序,如致动器的驱动程序。 特性 N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 可以由一个5V电源。 低导通电阻: RDS(on)1 =220mΩ最大。 (VGS=4 V,ID= 1.5 A) RDS(on)2 =150mΩ最大。 (VGS=10V,ID=2.5 A) |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2sk2857 |
NX |
NEC |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
10000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
2SK2857 |
NX |
NEC |
09+NOPB |
SOT-89/SC-62 |
80 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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2SK2858 |
G24 |
NEC |
05+ |
SOT-323/SC-70 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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2SK2858 |
G24 |
NEC |
05+ |
SOT-323/SC-70 |
770 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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2SK2855 |
UT |
TOSHIBA |
11+ROHS |
SOT-89 |
0 |
场效应管FET-其它Other |
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