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BFG325/XR
 型号：  BFG325/XR
 标记/丝印/代码/打字：  S2
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-143
 批号：  04NOPB
 库存数量：  5790
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFG325/XR S2 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 6V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 35mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 14GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 60~200
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 210mW/0.21W
Description & Applications NPN 14 GHz wideband transistor High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability Intended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as: analog and digital cellular telephones cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.) radar detectors pagers Satellite Antenna TeleVision (SATV) tuners repeater amplifiers in fiber-optic systems
描述与应用 14 GHz的宽带晶体管NPN 高功率增益 低噪声系数 高转换频率 黄金金属确保卓越的可靠性 面向射频（RF）前端应用在GHz范围内，如： 模拟和数字蜂窝电话 无绳电话机（无绳电话（CT），个人通讯 网络（PCN），数字增强无绳通信（DECT），等等。） 雷达探测器传呼机卫星天线电视（SATV）调谐器的 在光纤系统中的中继放大器
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