BFG10W t5 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
250mA/0.25A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
25 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
400mW/0.4W |
| Description & Applications |
? UHF power transistor FEATURES ? High efficiency ? Small size discrete power amplifier ? 900 MHz and 1.9 GHz operating areas ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS ? Common emitter class-AB operation in hand-held radio equipment up to 1.9 GHz. DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343 package |
| 描述与应用 |
?UHF功率晶体管 特点 ?高效率 ?小尺寸离散功率放大器 ?900 MHz和1.9 GHz工作 地区 ?黄金金属确保 出色的可靠性。 应用 ?共发射极AB类 手持对讲机的操作 高达1.9 GHz设备。 说明 NPN硅平面外延晶体管 被封装在塑料，4 - 针 双射SOT343封装 |
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