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BFG21W
 型号：  BFG21W
 标记/丝印/代码/打字：  p1
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  sot-343
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFG21W p1 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 4.5V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 18GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 40~100
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 600mW/0.6W
Description & Applications APPLICATIONS ? UHF power transistor ? Common emitter class-AB output stage in hand held radio equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS, etc. ? Driver for DCS1800, 1900. DESCRIPTION NPN double polysilicon bipolar power transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package.
描述与应用 特点 ?高功率增益 ?高效率 ?1.9 GHz工作区 线性和非线性操作。 应用 ?共发射极AB类输出级在手举行 无线电设备在1.9 GHz，如DECT，PHS等 ?驱动程序，DCS1800，1900。 说明 NPN双多晶硅双极功率晶体管 埋层低电压中等功率应用 在一个塑料封装，4针的双射SOT343R 包。
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