bfg480 p6 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
14.5V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
4.5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
80-250mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
21GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40~100 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
360mW/0.36W |
| Description & Applications |
? NPN wideband transistor ? High power gain ? High efficiency ? Low noise figure ? High transition frequency ? Emitter is thermal lead ? Low feedback capacitance ? Linear and non-linear operation. ? RF front end with high linearity system demands (CDMA) ? Common emitter class AB driver. |
| 描述与应用 |
?NPN宽带晶体管 ?高功率增益 ?高效率 ?低噪声系数 ?高转换频率 ?发射器是热的铅 ?低反馈电容 线性和非线性操作。 ?RF前端具有高线性系统要求 （CDMA） ?共发射极的AB类驱动程序。 |
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