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型号: |
SSM6J08FU |
标记/丝印/代码/打字: |
KDD |
厂家: |
TOSHIBA |
封装: |
SOT-363/SC70-6/US6 |
批号: |
05+NOPB |
库存数量: |
42000 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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SSM6J08FU KDD 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.3A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.14Ω @-650mA,-4V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5--1.1V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
Description & Applications |
Power Management Switch DC-DC Converter Small Package Low on Resistance : Ron = 0.18 ? (max) (@VGS = ?4 V) Ron = 0.26 ? (max) (@VGS = ?2.5 V) Low Gate Threshold Voltage |
描述与应用 |
电源管理开关 DC-DC转换器 小包装 低电阻:罗恩= 0.18Ω(最大)(@ VGS=-4 V上) 罗恩= 0.26Ω(最大)(@ VGS= -2.5 V) 低栅极阈值电压 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
SSM6J06FU |
KDB |
TOSHIBA |
05+nopb215 |
SOT-363/SC70-6/US6 |
2110 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SSM6J06FU |
KDB |
TOSHIBA |
0546NOPB |
SOT-363/SC70-6/US6 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SSM6J07FU |
KDF |
TOSHIBA |
05+NOPB3500 |
SOT-363/SC70-6/US6 |
5650 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SSM6J07FU |
KDF |
TOSHIBA |
04+ |
SOT-363/SC70-6/US6 |
9000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SSM6J08FU |
KDD |
TOSHIBA |
05+NOPB5900 |
SOT-363/SC70-6/US6 |
17900 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SSM6J08FU |
KDD |
TOSHIBA |
05+NOPB |
SOT-363/SC70-6/US6 |
42000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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