|
|
|
型号: |
SSM6J07FU |
标记/丝印/代码/打字: |
KDF |
厂家: |
TOSHIBA |
封装: |
SOT-363/SC70-6/US6 |
批号: |
04+ |
库存数量: |
9000 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
在线阅读 |
|
|
在线购买 |
|
|
|
|
SSM6J07FU KDF 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-800mA/-0.8A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.35Ω @-400mA,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.1--1.9V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
Description & Applications |
Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Ron = 450 m? (max) (VGS = ?10 V) Ron = 800 m? (max) (VGS = ?4 V) |
描述与应用 |
电源管理开关 高速开关应用 小型封装 低导通电阻 RON =450MΩ(最大值(VGS= -10 V) 罗恩=800MΩ(最大)(VGS=-4 V) |
技术文档PDF下载 |
在线阅读 |
|
|
|
|
相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
SSM6J06FU |
KDB |
TOSHIBA |
05+nopb215 |
SOT-363/SC70-6/US6 |
2110 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SSM6J06FU |
KDB |
TOSHIBA |
0546NOPB |
SOT-363/SC70-6/US6 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SSM6J07FU |
KDF |
TOSHIBA |
05+NOPB3500 |
SOT-363/SC70-6/US6 |
5650 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SSM6J07FU |
KDF |
TOSHIBA |
04+ |
SOT-363/SC70-6/US6 |
9000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SSM6J08FU |
KDD |
TOSHIBA |
05+NOPB5900 |
SOT-363/SC70-6/US6 |
17900 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SSM6J08FU |
KDD |
TOSHIBA |
05+NOPB |
SOT-363/SC70-6/US6 |
42000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
|
|
|