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SSM6J06FU
 型号:  SSM6J06FU
 标记/丝印/代码/打字:  KDB
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-363/SC70-6/US6
 批号:  0546NOPB
 库存数量:  3000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SSM6J06FU KDB 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -650mA/-0.65A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.4Ω @-300mA,-4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.6-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance : Ron = 0.5 ? max (VGS = ?4 V) Ron = 0.7 ? max (VGS = ?2.5 V) Low gate threshold voltage
描述与应用 电源管理开关 高速开关应用 小型封装 低导通电阻RON =0.5Ω最大(VGS=-4 V) 罗恩= 0.7Ω最大(VGS=-2.5 V) 低栅极阈值电压
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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