PBSS302PD C9 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-4A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
110MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?450mV/-0.45V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
360mW/0.36W |
| Description & Applications |
40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor Features Low VCEsat Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuous collector current capability IC (DC) Up to 15 A peak current Very low collector-emitter saturation resistance High ef?ciency due to less heat generation SOT457 (SC-74) SMD plastic package. NPN complement: PBSS302ND Applications Power management functions Charging circuits DC-to-DC conversion MOSFET gate driving Power switches (e.g. motors, fans) Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter |
| 描述与应用 |
40 V PNP低VCEsat（BISS）晶体管 特点 低VCEsat 超低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 4连续集电极电流能力IC（DC） 高达15 A峰值电流 极低的集电极 - 发射极饱和电阻 由于产生的热量少，效率高 SOT457（SC-74）SMD塑料包装。 NPN补充：PBSS302ND的 应用 电源管理功能。 充电电路 的DC-DC转换 MOSFET栅极驱动 电源开关（如电机，风机） 薄膜晶体管（TFT）背光逆变器 |
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