PBSS306NZ S306NZ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
100V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
5.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
110MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~330 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
40mV~300mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
100 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS306PZ. Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High collector current gain (hFE) at high IC High efficiency due to less heat generation Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors Applications High-voltage DC-to-DC conversion High-voltage MOSFET gate driving High-voltage motor control High-voltage power switches (e.g. motors, fans) Automotive applications |
| 描述与应用 |
100 V，5.1 A NPN低VCEsat（BISS）晶体管 一般说明 ??NPN低VCEsat ??突破小信号（BISS）晶体管SOT223（SC-73） ?小型表面贴装器件（SMD）塑料包装。 ?PNP补PBSS306PZ。 特点 低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 ??高集电极电流能力IC和ICM ??高集电极电流IC在高增益（HFE） ??由于产生的热量少，高效率 更小的印刷电路板（PCB）面积比传统的晶体管 应用 高电压的DC-DC转换 ?高压MOSFET的栅极驱动 ?高压电机控制 ?高压电源开关（如电机，风机） 汽车应用 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
