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MMBT589LT1g
 型号：  MMBT589LT1g
 标记/丝印/代码/打字：  G3
 厂家：  ON
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  06nopb
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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MMBT589LT1g G3 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~300
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?650mV/-0.65V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 310mW/0.31W
Description & Applications High current surface mount PNP Silicon Switching Transistor for load management in portable applications
描述与应用 高电流表面贴装 PNP硅开关晶体管 在便携式应用中的负载管理
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