MMBT5550 1F 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
160V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
140V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA/0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
50Mhz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
150mV~250mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
NPN General Purpose Amplifier ? This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers. |
| 描述与应用 |
NPN通用放大器 ?本设备是专为通用高电压放大器 和气体放电的显示驱动程序。 |
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