MMBT5551 3S 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
160V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA/0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100Mhz~300Mhz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
30~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
150mV~250mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
? This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers. ? Suffix “-C” means Center Collector in 2N5551 (1. Emitter 2. Collector 3. Base) ? Suffix “-Y” means hFE 180~240 in 2N5551 (Test condition : IC = 10mA, VCE = 5.0V) |
| 描述与应用 |
这个装置是专为通用高电压放大器和气体放电显示驱动程序。 ?后缀“-C”指中心集电极2N5551（1集电极发射23。基地） ?后缀“-Y”表示HFE180?2402N5551（测试条件：IC=10mA时，VCE= 5.0V） |
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