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MGSF2N02ELT1
 型号：  MGSF2N02ELT1
 标记/丝印/代码/打字：  NT
 厂家：  ON
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  6100
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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MGSF2N02ELT1 NT 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 2.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.085Ω/Ohm @3.6A,4.5v
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications Power MOSFET 2.8 Amps, 20 Volts, N?Channel SOT?23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. ? Pb?Free Packages are Available ? Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life ? Miniature SOT?23 Surface Mount Package Saves Board Space ? IDSS Specified at Elevated Temperature
描述与应用 功率MOSFET 2.8安培，20伏，N沟道SOT-23 这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（ON）保证 最小的功率损耗，节约能源，使这些设备的理想选择 使用空间敏感的电源管理电路。 ?无铅包可用 ?低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 ?微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 ?IDSS指定高温
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